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      氮化鎵GaN

      氮化鎵GaN

      東莞市建盟化學有限公司經銷世界知名品牌氮化鎵GaN單晶片產品。氮化鎵單晶片生長方式,等級,直徑,厚度,表面處理,晶向,晶向偏角,摻雜類型,電阻率,薄膜,加工服務。

      產品詳情

       

      GaN/ Al?O? Substrates (4")  4英寸氮化鎵復合襯底

      Item 產品型號

      Un-doped

      N-type

      High-doped N-type

      Size 尺寸 (mm)

      Φ100.0±0.5 (4")

      Substrate Structure襯底結構

      GaN on Sapphire(0001)

      SurfaceFinished 表面處理

      (Standard: SSP Option: DSP)

      Thickness 厚度(μm)

      4.5±0.5; 20±2;Customized

      Conduction Type 導電類型

      Un-doped

      N-type

      High-doped N-type

      Resistivity 電阻率 (Ω·cm)(300K)

      ≤0.5

      ≤0.05

      ≤0.01

      GaN Thickness Uniformity
      GaN厚度不均勻性

      ≤±10% (4")

      Dislocation Density (cm-2)
      位錯密度

      ≤5×108

      有效面積 Useable Surface Area

      >90%

      Package 包裝

      Packaged in a class 100 clean room environment.


      下載資料
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