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      碳化硅SiC晶片

      碳化硅SiC晶片

      東莞市建盟化學有限公司經銷世界知名品牌碳化硅SiC晶片產品。碳化硅SiC晶片生長方式,等級,直徑,厚度,表面處理,晶向,晶向偏角,摻雜類型,電阻率,薄膜,加工服務。

      產品詳情

      等級 Grade 

      Z級
      Zero MPD

      工業級
      Production

      研究級
      Research Grade

      試片級
      Dummy Grade

      直徑 Diameter 

      50.8 ±0.38 mm, 76.2 ±0.38 mm, 100±0.5 mm, 150±0.25mm

      厚度 Thickness 

      4H-N 

      350 μm±25μm

      4H-SI

      500 μm±25μm

      晶片方向 Wafer Orientation 

       Off axis : 4.0° toward 1120 !±0.5° for 4H-N                      On axis : <0001>±0.5° for 4H-SI

      微管密度 Micropipe Density 

      ≤1 cm-2 

      ≤5 cm-2 

      ≤15 cm-2 

      ≤50 cm-2

      電阻率 Resistivity

      4H-N 

      0.015~0.028 Ω·cm

      6H-N 

      0.02~0.1 Ω·cm

      4/6H-SI 

      >1E5 Ω·cm 

      (90%) >1E5 Ω·cm

      主定位邊方向 Primary Flat 

      {10-10}±5.0°

      主定位邊長度 Primary Flat Length 

      15.9 mm±1.7 mm,  22.2 mm±3.2 mm, 32.5 mm±2.0 mm,  47.5 mm±2.5 mm

      次定位邊長度 Secondary Flat Length 

      8.0 mm±1.7 mm, 11.2 mm±1.5 mm, 18.0mm±2.0 mm, -----, 

      次定位邊方向 Secondary Flat Orientation 

      Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°

      邊緣 Edge exclusion 

      3 mm

      總厚度變化/彎曲度/翹曲度 TTV/Bow /Warp 

      ≤15μm /≤25μm /≤40μm

      表面粗糙度 Roughness 

      Polish Ra≤1 nm

      CMP Ra≤0.5 nm

      裂紋(強光燈觀測) 
      Cracks by high intensity light 

      None 

      None 

      1 allowed, ≤1 mm

      六方空洞(強光燈觀測)
      Hex Plates by high intensity light 

      Cumulative area≤1 % 

      Cumulative area≤1 % 

      Cumulative area≤3 %

      多型(強光燈觀測)
      Polytype Areas by high intensity light 

      None 

      Cumulative area≤2 % 

      Cumulative area≤5%

      劃痕(強光燈觀測) 
      Scratches by high intensity light

      3 scratches to 1× wafer diameter
      cumulative length

      5 scratches to 1× wafer diameter
      cumulative length

      8 scratches to 1× wafer diameter
      cumulative length

      崩邊 Edge chip 

      None 

      3 allowed, ≤0.5 mm each 

      5 allowed, ≤1 mm each

      表面污染物(強光燈觀測)
      Contamination by high intensity light 

      None


      下載資料
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