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      砷化鎵GaAs晶片

      砷化鎵GaAs晶片

      東莞市建盟化學有限公司經銷世界知名品牌砷化鎵GaAs晶片產品。砷化鎵GaAs晶片生長方式,等級,直徑,厚度,表面處理,晶向,晶向偏角,摻雜類型,電阻率,薄膜,加工服務。

      產品詳情

      Type/Dopant 導電類型/摻雜元素

      Semi-Insulated

      P-Type/Zn

      N-Type/Si

      N-Type/Si

      Application 應用

      Micro Eletronic

      LED

      Laser Diode

      Growth Method 長晶方式

      VGF

      Diameter 直徑

      2", 3", 4", 6"

      Orientation 晶向

      (100)±0.5°

      Thickness 厚度 (μm)

       350-625um±25um

      OF/IF 參考邊

      US EJ or Notch

      Carrier Concentration 載流子濃度

      -

      (0.5-5)*1019

      (0.4-4)*1018

      (0.4-0.25)*1018

      Resistivity 電阻率 (ohm-cm)

      >107

      (1.2-9.9)*10-3

      (1.2-9.9)*10-3

      (1.2-9.9)*10-3

       Mobility 電子遷移率 (cm2/V.S.)

      >4000

      50-120

      >1000

      >1500

      Etch Pitch Density 位錯密度(/cm2)

      <5000

      <5000

      <5000

      <500

      TTV 平整度 [P/P] (μm)

      <5

      TTV 平整度 [P/E] (μm)

      <10

      Warp 翹曲度 (μm)

      <10

      Surface Finished 表面加工

      P/P, P/E, E/E


      下載資料
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